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삼성은 0a D램을 어떻게 만들까 (feat.

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작성자 sans339 댓글 0건 조회 2회 작성일 25-12-31 16:49

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콜백서비스 무료체험 삼성은 0a D램을 어떻게 만들까 (feat. IGO)사진=게티이미지뱅크2025년의 마지막 하루. 빡센 테크 기사로 마무리해보시면 어떨까요. 삼성전자가 1나노급 1세대(0a)부터 구현할 VCT D램에 대한 이야기입니다. 바로 들어가보시겠습니다.지금 삼성전자는 10나노미터(㎚·10억 분의 1m)급 6세대(1c) D램 개선으로 분위기가 올라온 상황이죠.D램의 구조와 트랜지스터 구조의 변천사. 동일 면적에 한 개의 소자라도 더 넣으려고 정말 많은 노력을 했고, VCT D램은 다음 대안으로 꼽히고 있습니다. 사진제공=삼성전자, 어플라이드 머티어리얼즈0a D램은 삼성전자가 1c → 1d D램에 이어서 구현할 '차차세대' 제품입니다. 0a는 D램 속에서 가장 미세한 배선 폭이 10나노 아래로 떨어진다는 의미인데요.업계에서는 삼성이 이때부터 구현하는 제품을 업계에서는 4F²D램이라고도 합니다. F는 하프 피치의 줄임말인데요. 회로+빈 공간(라인&스페이스) 길이를 절반으로 나눈 값입니다. 쉽게 선폭으로 이해하시면 될 것 같습니다.D램 소자를 둘 면적이 계속 좁아지는 중입니다. 8F²→6F²→4F². 지금까지는 4F² D램을 VCT D램으로 부르기도 합니다. 사진제공=삼성전자예컨대 0a D램에서 하프피치(선폭)가 9㎚라면 4 x 9 x 9, 즉 324 ㎚² 면적 안에 한개 반도체 소자를 만들어내야 하는 아크로바틱에 가까운 경지를 구현해야 합니다. 이건 삼성이 1d D램까지 쓸 6F² D램 구조 대비 차원이 다른 면적이 되는 셈입니다. 1d D램에서 선폭이 10㎚라고 쳐도 6x10㎚x10㎚라면 600㎚²죠. 너무 힘들기는 해도 이렇게 해야만 동일한 면적에 더 많은 기억 소자를 집어넣을 수 있어서 집적도 개선이 가능합니다. VCT D램, 트랜지스터 속 '채널'이 문제이제 삼성 엔지니어들의 고민은 본격적으로 시작됩니다. 이렇게 좁은 공간에 어떻게 트랜지스터를 집어넣는담. 정말 마누라랑 자식 빼곤 다 바꿔야되지 않을까.그래서 등장한 개념이 VCT D램입니다. VCT는 수직 채널 트랜지스터(Vertical Channel Transistor)인데요. 기존에는 평평한 웨이퍼 위에 만들었던 트랜지스터를 수직으로삼성은 0a D램을 어떻게 만들까 (feat. IGO)사진=게티이미지뱅크2025년의 마지막 하루. 빡센 테크 기사로 마무리해보시면 어떨까요. 삼성전자가 1나노급 1세대(0a)부터 구현할 VCT D램에 대한 이야기입니다. 바로 들어가보시겠습니다.지금 삼성전자는 10나노미터(㎚·10억 분의 1m)급 6세대(1c) D램 개선으로 분위기가 올라온 상황이죠.D램의 구조와 트랜지스터 구조의 변천사. 동일 면적에 한 개의 소자라도 더 넣으려고 정말 많은 노력을 했고, VCT D램은 다음 대안으로 꼽히고 있습니다. 사진제공=삼성전자, 어플라이드 머티어리얼즈0a D램은 삼성전자가 1c → 1d D램에 이어서 구현할 '차차세대' 제품입니다. 0a는 D램 속에서 가장 미세한 배선 폭이 10나노 아래로 떨어진다는 의미인데요.업계에서는 삼성이 이때부터 구현하는 제품을 업계에서는 4F²D램이라고도 합니다. F는 하프 피치의 줄임말인데요. 회로+빈 공간(라인&스페이스) 길이를 절반으로 나눈 값입니다. 쉽게 선폭으로 이해하시면 될 것 같습니다.D램 소자를 둘 면적이 계속 좁아지는 중입니다. 8F²→6F²→4F². 지금까지는 4F² D램을 VCT D램으로 부르기도 합니다. 사진제공=삼성전자예컨대 0a D램에서 하프피치(선폭)가 9㎚라면 4 x 9 x 9, 즉 324 ㎚² 면적 안에 한개 반도체 소자를 만들어내야 하는 아크로바틱에 가까운 경지를 구현해야 합니다. 이건 삼성이 1d D램까지 쓸 6F² D램 구조 대비 차원이 다른 면적이 되는 셈입니다. 1d D램에서 선폭이 10㎚라고 쳐도 6x10㎚x10㎚라면 600㎚²죠. 너무 힘들기는 해도 이렇게 해야만 동일한 면적에 더 많은 기억 소자를 집어넣을 수 있어서 집적도 개선이 가능합니다. VCT D램, 트랜지스터 속 '채널'이 문제이제 삼성 엔지니어들의 고민은 본격적으로 시작됩니다. 이렇게 좁은 공간에 어떻게 트랜지스터를 집어넣는담. 정말 마누라랑 자식 빼곤 다 바꿔야되지 않을까.그래서 등장한 개념이 VCT D램입니다. VCT는 수직 채널 트랜지스터(Vertical Channel Transistor)인데요. 기존에는 평평한 웨이퍼 위에 만들었던 트랜지스터를 수직으로 꼿꼿하게 세운다는 게 아주 기본적인 골자입니다.D램 트랜지스터를 콜백서비스 무료체험

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