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r67텔레그램RADARDB_]스웨디시디비문의}* 삼성 1조6000억원 투자한 기술인력과 함께 中 CXMT사에 유출체포 등 때 신호 남기고분야 나눠 인재 영입, 기술 빼돌려檢 도주자 추적 등 추가 수사 확대[서울경제] D램 반도체 핵심 기술 유출 사건을 수사 중인 검찰이 전직 삼성전자 연구원을 구속 상태에서 재판에 넘겼다. 검찰은 반도체 기술이 중국에 유출되는 과정에 연루된 공범이 추가로 있다고 파악하고, 수사를 한층 확대해 나간다는 계획이다.2일 서울중앙지검 정보기술범죄수사부(안동건 부장검사)는 산업기술보호법 위반(국가 핵심 기술 국외 유출) 등 혐의로 전 씨를 구속 기소했다. 전 씨는 삼성전자가 약 1조 6000억 원을 들여 개발한 D램 공정 국가 핵심 기술을 부정하게 취득하고 사용한 혐의를 받는다. 전 씨는 창신메모리테크놀러지(CXMT)로부터 계약 인센티브 3억 원과 스톡옵션 3억 원 등 6년 동안 29억 원을 받은 것으로 나타났다. 검찰은 지난해 1월 삼성전자의 D램 공정 기술을 부정 취득하고, 사용한 혐의로 1심에서 실형이 선고된 김 씨를 구속 기소한 사안에 대해 추가 수사를 하는 과정에서 전 씨의 혐의도 발견했다. 김 씨는 검찰 추적 끝에 구속 기소돼 올 2월 19일 1심에서 징역 7년에 벌금 2억 원을 선고받았다. 함께 기소된 삼성전자 협력 업체 전 직원 방 모 씨와 김 모 씨에게도 각각 징역 2년 6개월, 1년 6개월이 선고됐다.검찰에 따르면 전 씨는 김 씨와 함께 CXMT가 세운 위장 회사인 A사로 이직했다. 김 씨가 먼저 옮기고 전 씨가 따라 이직하는 방식이었다. A사는 CXMT가 중국 현지에 세운 위장 업체였다. 김씨 등이 삼성전자를 떠나 곧바로 CXMT로 이직할 경우 ‘기술을 유출하는 게 아니냐’는 의심을 피하기 위한 ‘눈속임’ 장치였다. 이들은 A사로 회사를 옮긴 듯 꾸미고 인재를 영입해 국가 핵심 기술인 18㎚(나노·10억분의 1m) D램 반도체 공정 기술을 무단 유출했다. 특히 이들은 D램 반도체 공정 개발 기술 가운데 각기 다른 분야의 인력을 영입하고 출국 금지 또는 체포됐을 경우 단체 대화방에 하트 4개()를 남기기로 사전에 공모하는 등 치밀한 모습도 보였다.검찰 관계자는 “김 씨와 전 씨 등이 D램 반도체 분야에서 각기 다른 파트의 인력을 영입한 것은 그만큼 세부적으로 다양한 기술을 유출하려는 시도였다”며 “적발되더라도 다른 사람들에게 미리 알리는 경고성 메시지까지 약속하는 등 후속 계획까지 세웠다”고 설명했다.검찰은 현재 삼성전자 내부 자료를 유출한 공범을 국제형사경찰기구(ICAO·인터폴)을 통해 추적 중이다. 또 삼성전자 D램 공정개발 기술 국외 유출 과정에 또 다른 전직